别再只会堆电容了:一份真正有用的 PCB 电源设计检查清单

2026-04-29 · PCB / Power Integrity / PI / PDN / 电源设计

高速高密电路的 PCB 电源设计问题与检查清单。

高速高密电路的 PCB 电源设计问题与检查清单

研究时间:2026-05-01
研究对象:高速高密 PCB 的电源分配网络(PDN/PDS)、电源完整性(PI)、去耦、层叠、BGA/HDI 供电、验证与调试
方法:横纵分析法

一句话判断

高速高密 PCB 的电源设计,已经从「把每路电压接过去」变成了「在芯片封装焊球处维持低阻抗、低噪声、低压降、可验证的动态供电系统」。真正的风险不在某一个 0.1 uF 电容少没少,而在整条链路:VRM、bulk 电容、板级去耦、平面电容、BGA/via、封装、片上电容、负载瞬态和测量方法有没有闭合。

如果只记一个原则,就是:

电源设计必须在架构阶段做,而不是在布线阶段补。

纵向分析:PCB 电源设计问题怎么演进到现在

早期数字板的电源设计更多是 DC 问题。电压轨数量少,电流不大,逻辑速度也没有把边沿频谱推得很高。工程师关心的是线宽够不够、铜皮够不够、稳压器能不能带得动负载。那时的失效多是压降太大、局部发热、稳压器不稳定。

后来,高速数字和 BGA 把问题推进了一层。芯片 I/O 变多,核心电压下降,电流上升,BGA 焊球和过孔阵列把供电路径压缩到很小的区域。电源不再只看 DC IR drop,还要看瞬态电流经过有限电感时造成的电压塌陷。TI 的 66AK2G1x PDN 应用报告直接把 PCB 称为系统级 PDN 的关键部分,并把 stack-up、静态 IR drop、动态 PDN 分析和检查清单列为完整流程的一部分。

再往后,FPGA、SoC、GPU、AI 加速器和高速 SerDes 让电源轨数量继续增加。一个大器件可能有核心、I/O、PLL、收发器模拟电源、收发器终端电源、DDR、参考时钟、ADC/DAC 等多类轨。AMD 的 UG949 说明了自适应 SoC 的特殊性:不同用户设计、频率和时钟域会让功耗需求变化很大,因此需要用 XPE/PDM 等工具估算功耗,并在必要时做 PDN 仿真,而不能只拿通用电容表照抄。

当边沿速度继续提高后,板级电容的作用频段也被重新理解。Intel/Altera 的 AN 958 采用频域目标阻抗方法(FDTIM)来确定板级去耦需求。它的关键意思不是「电容越多越好」,而是:在目标频率范围内,让有效 PDN 阻抗低于目标阻抗。Intel 的 PDN 工具文档还明确指出,板级去耦电容在高频会被安装电感、平面扩散电感、BGA via 电感和封装寄生限制;再往上,更多依赖封装电容和片上电容。

现在,高速高密 PCB 的电源设计已经进入 PI/SI/thermal/reliability 联合问题阶段。电源噪声会转化成 SerDes 抖动,会调制 PLL/ADC/DAC,会通过返回路径影响串扰和 EMI,会通过局部电流密度影响温升和可靠性。Tektronix 的电源完整性资料把 PDN 定义为从 VRM 到芯片焊盘之间的完整互连系统,并强调电源轨噪声会影响高速数据线抖动。这个判断在工程上很重要:看眼图闭合或链路误码时,不能只查通道,也要查供电。

这个演进可以压缩成四个阶段:

阶段核心问题典型设计动作典型漏项
DC 供电阶段电流够不够、压降大不大线宽、铜厚、稳压器容量不看瞬态
去耦经验阶段局部开关电流导致电压波动每个电源脚旁放 0.1 uF、加 bulk不看 ESL/安装电感/反谐振
PDN 目标阻抗阶段在频域维持低阻抗Ztarget、板级去耦、平面电容、仿真把电容数量当目标
系统级 PI 阶段电源噪声影响 SI、EMI、热和可靠性SI/PI 联合仿真、测量、功耗估算、sequencing架构后期才想电源

横向分析:高速高密 PCB 电源设计的主要问题

1. 电源架构:轨太多,不能只靠经验合并

高速高密板上最先出错的不是 layout,而是 power tree。轨的定义、合并、上电顺序、监测、裕量、负载分类没有想清楚,后面无论怎么堆电容都很难救。

常见问题:

  • 核心电源、PLL/SerDes 模拟电源、I/O 电源、DDR 电源被过度合并。
  • 只按稳压器电流能力选型,不按噪声、瞬态响应、远端 sense、环路稳定性选型。
  • 没有为每路关键电源预留电流检测,导致样机阶段无法判断真实负载。
  • 电源时序只靠 PMIC 默认配置,没有和芯片 data sheet 的 power-on/off sequence 对齐。
  • 多个大负载共轨时,没有做 transfer impedance 和噪声传播评估。

AMD UG949 的建议很直接:先估算具体设计的功耗,选择满足噪声和电流要求的稳压器,必要时做 PDN 仿真,并建议增加 shunt resistor 或 PMBus/current monitor 来监测每路电源。

2. 目标阻抗:不要把「电容数量」当成设计目标

PDN 的基本目标是让负载电流变化时,电源轨电压仍留在允许范围内。工程上常用一阶估算:

1Ztarget = 允许电压波动 / 最大瞬态电流阶跃

这个公式简单,但它会迫使设计者问一个更重要的问题:负载到底会在多快的时间内拉多少电流?如果这个问题答不上来,电容表就只是在猜。

Intel/Altera AN 958 推荐用频域目标阻抗方法决定板级去耦。它还指出,目标频率通常到几十 MHz 到一两百 MHz 量级,再往上板级电容会因为平面扩散电感、封装安装电感等限制失效,主要靠封装和片上电容承担。

这对检查很关键。很多设计评审只问「0.1 uF 放够了吗」,但正确问题应该是:

  • 每条关键电源轨的允许 ripple/noise 是多少?
  • 最大瞬态电流阶跃来自哪里?FPGA fabric?DDR burst?SerDes CDR?ADC/DAC?
  • VRM 在哪个频段开始变成感性?
  • bulk、mid-frequency ceramic、平面电容、封装电容之间的频段接力是否连续?
  • 是否出现高 Q 反谐振峰?

3. 去耦电容:位置和安装电感比标称容量更要命

去耦电容不是理想电容。TI 报告强调真实电容要按 RLC 看,包含 ESR 和 ESL;电容安装的 pad、trace、via 也会贡献电感和电阻。ADI 的 AN-1142 也提醒,简单撒很多不同容值并不等于低阻抗,选对值、类型和 stack-up 同样重要。

在高速高密板里,常见错误有:

  • 电容离 BGA 太远,电容值看起来够,实际 loop inductance 太大。
  • 多个电容共用一个 via,造成 via starvation 和共享阻抗。
  • 电容一端用长细线接 power plane,另一端用长细线接 ground plane。
  • 小封装电容没有靠近负载,高频去耦被安装电感吃掉。
  • 盲目堆多种容值,产生反谐振峰,反而在某些频点抬高阻抗。

优先级应该是:

  1. 先保证电源/地平面对靠近,形成低电感平面电容。
  2. 再把高频/中频陶瓷电容放在 BGA 背面或最近可达位置。
  3. 对每个关键电容尽量做到一电容一组 power/ground via。
  4. 连接 trace 短、宽,via 靠 pad,条件允许时用 via-in-pad。
  5. 最后才讨论电容值组合和 BOM 优化。

4. Stack-up:层叠不是机械约束,而是 PDN 的一部分

层叠决定了回流路径、电源-地平面电容、平面扩散电感、去耦 loop inductance 和 EMI。TI 建议 power/ground plane pair 要紧耦合、尽量 solid,并使用薄介质提高平面电容。Intel/Altera 也把 plane capacitance 作为高频去耦的重要方式,给出平行板电容模型:

1C = epsilon0 * epsilonr * A / h

这意味着增加重叠面积、减小平面间距、提高介电常数都会提高平面电容;但真正的工程收益不是电容数值本身,而是低电感、高频可用。

高速高密板的 stack-up 检查重点:

  • 高优先级电源轨是否靠近芯片所在面?
  • 核心电源和 GND 是否形成紧耦合平面对?
  • 高速信号层是否有连续参考 GND?
  • 大面积 plane split 是否切断回流路径?
  • 电源岛边界是否靠近高速信号、参考时钟或敏感模拟线?
  • BGA 区域是否因为逃逸布线打碎了电源/地平面?

5. BGA/HDI 供电:真正的瓶颈经常在 via field

高速高密板里,BGA 下面的供电路径是最容易被低估的区域。稳压器输出和大平面再好,如果进入 BGA 的 via 数不足、via 排布太差、反焊盘切碎参考平面,芯片焊球处仍然会掉压、噪声增大。

TI 报告专门提到 via starvation:当一个 via 或 via 网络无法供应足够电流时,就会成为供电瓶颈。因此高密 BGA 需要检查:

  • 每个高电流 rail 从 plane 到 BGA ball 的 via 数量是否足够。
  • via 的电流承载能力是否经过仿真或规则核算。
  • 是否多颗电容共用同一过孔,造成共享阻抗。
  • HDI 盲埋孔、via-in-pad、microvia stack 是否满足制造可靠性。
  • BGA fanout 是否为了信号逃逸牺牲了关键电源/地通道。

一句话:BGA 供电不是看「铜皮面积」,而是看「从芯片焊球往外看见的阻抗」。

6. 开关电源布局:噪声源要被关在自己的区域里

开关电源的 layout 不只是效率问题,也是整板 PI/SI 问题。ADI 的 AN-136 强调,开关电源位置和布局要在早期规划;供电输出应靠近负载以降低互连阻抗和压降;敏感信号不要从电源开关区域下面穿过;多层板中可用内部地/电源层屏蔽小信号层。

高速高密板的常见错误:

  • VRM 被挤到板边,离高电流负载太远。
  • 输入高 di/dt 回路和输出高电流回路面积太大。
  • SW node 铜皮为了散热铺得很大,结果成为强噪声天线。
  • 补偿网络、FB 节点、remote sense 线被开关节点或大电流路径污染。
  • 多相电源相位、布局和电流均流没有验证。

检查时要把电源分成三类区域:高 di/dt 热回路、低噪声反馈/补偿回路、输出大电流低阻抗路径。三者不能混在一起。

7. 敏感电源:PLL、SerDes、ADC/DAC、参考时钟不能粗暴共轨

高速高密 PCB 最怕把「电压一样」理解成「可以直接合并」。同样是 0.85 V 或 1.8 V,数字核心、SerDes 模拟、PLL、ADC/DAC、参考时钟缓冲器对噪声的敏感性完全不同。

AMD UG583 的 PS-GTR 检查表提到,PS_MGTRAVCC 这种 transceiver 供电不与其他非 transceiver 负载共享,可以降低超出噪声要求的风险,并给出电源噪声要求和滤波建议。这个思路可以推广到所有高速敏感轨:

  • SerDes analog rail 优先独立或经滤波隔离。
  • PLL/refclk 电源不要和大电流数字 rail 共阻抗。
  • ADC/DAC 参考和模拟电源要按器件手册做局部去耦和低噪声供电。
  • ferrite bead 不是万能隔离器,必须检查 DC 压降、饱和电流、阻抗频段和反谐振。
  • 低噪声 LDO 能降低高频噪声,但热和 dropout 裕量要一起算。

8. 电源噪声会变成 SI 问题

电源噪声不只表现为 rail ripple。它会通过驱动器阈值、PLL/VCO、CDR、SerDes TX/RX、ADC aperture jitter 等路径变成时序噪声或幅度噪声。Tektronix 的资料指出,电源轨噪声会影响高速数据线 jitter,调试 SerDes 时应把电源和眼图、TIE spectrum、频谱一起看。

因此高速板调试时,如果看到:

  • SerDes BER 偶发恶化;
  • 眼图在某些模式下周期性收缩;
  • PLL lock 不稳定;
  • DDR margin 随负载变化;
  • ADC spur 和某个电源开关频率相关;

不要只查阻抗、走线或固件,也要查 PDN 频谱、负载瞬态和共阻抗耦合。

横纵交汇洞察

洞察一:电源完整性不是去耦电容问题,而是阻抗路径问题

高速高密 PCB 的供电路径从 VRM 到 die,中间包含电感、电阻、电容和多级谐振。哪个环节阻抗最高,哪个环节就是瓶颈。电容标称值只是很小的一部分。

所以评审时不要问「每个电源脚有没有 0.1 uF」,而要问:

这个电源 rail 在芯片焊球处,从 DC 到目标频率范围内的阻抗曲线是什么样?

洞察二:高密设计里,空间分配就是电源设计

VRM 位置、电容位置、BGA 背面区域、power/ground plane pair、HDI via 通道都需要空间。等高速信号、连接器、结构件都摆完,再想把电源补进去,通常只能得到一个勉强可用但不可控的 PDN。

高密 PCB 里,最贵的资源不是电容,而是低电感路径。

洞察三:仿真和测量要闭环

仿真不是为了生成漂亮图,而是为了回答四个问题:

  • DC IR drop 是否满足最坏负载?
  • 动态负载下 package ball 电压是否在容限内?
  • PDN 阻抗是否有危险反谐振峰?
  • 噪声是否会通过 transfer impedance 传到敏感 rail?

测量也不是只拿示波器探一下 ripple。需要按 rail 逐项测 turn-on/off、overshoot、undershoot、ripple spectrum、负载阶跃响应、PDN impedance,必要时把 jitter/eye 和 rail noise 同步观察。

高速高密 PCB 电源设计检查清单

下面这份清单按项目阶段组织,可直接用于 schematic review、layout review、PI review 和 bring-up。

A. 电源架构与规格

检查项判定标准
电源轨清单完整每个 IC rail 标明电压、容差、最大/典型电流、瞬态电流、噪声要求、上电顺序
负载分类完成核心、I/O、DDR、SerDes、PLL、ADC/DAC、reference clock、always-on 分开标注
power tree 明确每路 VRM/LDO/PMIC 输出、合并关系、滤波关系、负载位置清楚
电源时序符合 data sheetpower-on/off sequence、reset release、PGOOD、enable 逻辑已核对
电源监测预留关键 rail 有 shunt、PMBus、test point 或 current monitor
远端 sense 策略明确sense 点放在负载近端,走线 Kelvin,避免经过大电流路径
裕量定义清楚VRM ripple、load transient、DC IR drop、测量误差共同纳入 rail tolerance

B. VRM/PMIC/LDO 设计

检查项判定标准
VRM 电流能力足够峰值、热降额、输入电压最差值、相数均流均检查
瞬态响应满足负载step load、slew rate、undershoot/overshoot 经过仿真或供应商模型确认
环路稳定性验证bode/phase margin 或供应商推荐补偿网络确认
输入电容靠近功率级输入高 di/dt 回路面积最小
SW node 受控铜皮不过度扩大,远离敏感线、反馈线、参考时钟
FB/COMP 远离噪声反馈和补偿节点短、干净,有 GND shielding
LDO 热设计通过dropout、功耗、铜皮散热、环境温度 worst case 已计算

C. Stack-up 与平面

检查项判定标准
高优先级 rail 靠近器件面核心/大电流 rail 在 stack-up 上半区或靠近芯片侧
power/GND plane pair 紧耦合介质尽量薄,平面重叠面积足够
GND 平面连续高速信号参考层下方没有长缝、割裂或孤岛
电源岛边界受控高速信号不跨电源岛边界;必要时用 stitching caps/return vias
平面电容纳入 PI不只算离散电容,也看 plane capacitance 和 spreading inductance
大电流 plane 有热裕量铜厚、温升、过孔、连接颈缩已检查

D. BGA/HDI 供电路径

检查项判定标准
BGA power via 数量足够每个高电流 rail 有足够 via,避免 via starvation
GND via 密度足够高速和电源返回路径都有低阻抗 GND 通道
电容 via 不共享关键去耦尽量一颗电容一组独立 power/GND via
BGA 背面去耦区保留核心 rail 高频/中频去耦优先放在芯片背面
via-in-pad 工艺可控填孔、电镀、平整度、可靠性和成本已确认
fanout 不破坏平面BGA escape 没有把关键 power/GND plane 打碎
HDI 堆叠可靠性检查stacked microvia、skip via、埋孔结构经过制造商确认

E. 去耦网络

检查项判定标准
每 rail 有目标阻抗Ztarget = 允许 ripple / 最大瞬态电流阶跃
频段分工明确VRM、bulk、mid-frequency ceramic、plane、package/on-die 电容各自覆盖频段清楚
电容模型真实使用含 ESR/ESL/SRF 的模型,不只用理想 C
反谐振峰检查不同容值组合没有形成高 Q 阻抗峰
安装电感最小短宽连接、via 靠 pad、必要时双 via 或 via-in-pad
电容位置分层bulk 在电源入口或 VRM 输出,中频/高频靠近负载
BOM 可制造封装尺寸、耐压、DC bias、温度系数、可采购性检查

F. 敏感轨隔离

检查项判定标准
PLL/refclk rail 隔离不与大电流数字负载共享高阻抗路径
SerDes analog rail 独立评估ripple/noise、滤波、去耦和共轨风险单独检查
ADC/DAC rail 按手册布局reference、analog、clock 供电去耦和地回流明确
ferrite bead 合理阻抗频段、DC 电流、压降、饱和、热和反谐振已检查
LDO 噪声和 PSRR 匹配开关频率及其谐波落在 LDO 有效抑制范围内
噪声源空间隔离VRM、inductor、SW node 远离模拟、时钟、SerDes refclk

G. 仿真与分析

检查项判定标准
DC IR drop最坏电流、温度、电阻率、铜厚、via 数量下通过
电迁移/电流密度plane、neck-down、via、connector pin 不超限
PDN 阻抗芯片焊球处 Z(f) 低于目标阻抗,频段定义合理
Transfer impedance多负载共轨、噪声源到敏感 rail 的耦合已评估
Load transientVRM + PCB + package 组合瞬态响应满足容限
SI/PI 联合SerDes/DDR/clock 的 jitter、eye、BER 与 rail noise 关联检查
热仿真VRM、LDO、inductor、connector、BGA 下方热点检查

H. Layout 细节

检查项判定标准
大电流路径短宽VRM 到负载和输出电容路径低阻低感
高 di/dt 回路最小buck 输入电容、FET、inductor 回路面积受控
反馈线 KelvinFB/sense 线不与大电流路径共享铜
测试点可用每路关键 rail 有靠近负载的低电感测量点
分割平面谨慎不在高速信号下方开缝,不制造长窄电源颈
热过孔充足LDO、PMIC、power module、EPAD 有足够 GND/thermal via
装配规则通过电容太密、via-in-pad、BGA 背面器件高度和可返修性已确认

I. 样机 Bring-up 与测量

检查项判定标准
上电顺序实测每路 rail ramp、PGOOD、reset release 波形记录
静态电流对比实测电流与估算/仿真差异解释清楚
ripple/noise 测量用低噪声电源探头或 50 ohm 方法,避免长地线探头
负载阶跃测试对核心 rail、DDR rail、SerDes rail 做动态响应测试
频谱分析ripple 频率与 VRM switching、clock、SerDes spur 关联
眼图/抖动关联高速链路问题同步看 rail noise 和 jitter/TIE
温升记录满载、环境高温、风扇失效或低风量场景下确认

最容易翻车的 12 个点

  1. 电源轨合并只看电压,不看噪声敏感性。
  2. VRM 放得太远,输出电容离负载也远。
  3. BGA 背面空间被信号/结构占掉,关键去耦放不进去。
  4. 多个电容共用 via,表面看电容多,实际共享电感大。
  5. 盲目堆不同容值,产生反谐振峰。
  6. power/GND plane pair 间距太大,高频平面电容不足。
  7. 高速信号跨过电源岛或地平面开缝。
  8. ferrite bead 用来隔离敏感轨,但没检查饱和、压降和反谐振。
  9. 只做 DC IR drop,不做动态 PDN。
  10. 样机测 ripple 用长地线普通探头,测到的是探头回路噪声。
  11. SerDes/DDR margin 出问题只查 SI,不查供电噪声。
  12. 电源设计最后才介入,低电感路径已经没有空间。

结论

高速高密 PCB 的电源设计,本质上是一个跨频段、跨结构、跨学科的阻抗控制问题。低频靠 VRM,中频靠 bulk 和陶瓷电容,高频靠平面电容、封装电容和片上电容;DC 看 IR drop,AC 看目标阻抗,系统层面还要看噪声如何通过 PDN 影响 SI、EMI、热和可靠性。

我的工程建议是把电源设计拆成三条主线同步推进:

第一条是架构线:power tree、轨合并、时序、监测、VRM/LDO 选择。

第二条是物理线:stack-up、plane pair、BGA/HDI via、电容位置、低电感路径。

第三条是验证线:DC IR drop、PDN impedance、load transient、transfer impedance、样机测量和高速链路关联调试。

只要这三条线没有同时闭合,所谓「电源设计完成」就只是原理图完成,不是工程完成。

信息来源

中英术语对照表

中文术语英文术语 / 缩写说明
印制电路板Printed Circuit Board, PCB承载器件、走线、平面和过孔的板级互连平台
电源分配网络Power Distribution Network, PDN从稳压器到芯片焊球/管脚的完整供电网络
电源分配系统Power Distribution System, PDS与 PDN 接近,常用于 FPGA/SoC 厂商文档
电源完整性Power Integrity, PI关注电源噪声、压降、阻抗、瞬态响应和稳定性的工程领域
信号完整性Signal Integrity, SI关注高速信号波形、阻抗、反射、串扰、抖动和误码的工程领域
电磁干扰Electromagnetic Interference, EMI电磁噪声对本系统或外部系统造成的干扰
电源轨Power Rail某一路具体供电网络,例如 0.85 V core rail
稳压模块Voltage Regulator Module, VRM把输入电源转换成目标电压的稳压电源模块
电源管理芯片Power Management IC, PMIC集成多路稳压、时序、监测和保护的电源管理器件
低压差线性稳压器Low-Dropout Regulator, LDO常用于低噪声或局部二级稳压的线性稳压器
降压转换器Buck Converter常见开关电源拓扑,把高电压转换成低电压
开关节点Switching Node, SW NodeBuck 中电压高速切换的节点,是强噪声源
电源良好信号Power Good, PGOOD表示某路电源已进入有效范围的状态信号
远端采样Remote Sense在负载近端采样电压,补偿供电路径压降
开尔文连接Kelvin Connection电流路径和电压采样路径分开,降低测量/反馈误差
目标阻抗Target Impedance, Ztarget为满足允许电压波动而设定的 PDN 阻抗上限
直流压降DC IR Drop直流电流流过电阻路径造成的电压下降
负载瞬态Load Transient负载电流快速变化时电源轨的动态响应
传递阻抗Transfer Impedance一个节点的噪声通过 PDN 耦合到另一个节点的阻抗表征
去耦电容Decoupling Capacitor为负载瞬态提供局部电荷、降低局部阻抗的电容
大容量电容Bulk Capacitor主要覆盖低频/中低频能量需求的大容量电容
等效串联电阻Equivalent Series Resistance, ESR电容等效模型中的串联电阻
等效串联电感Equivalent Series Inductance, ESL电容及其安装路径的等效串联电感
自谐振频率Self-Resonant Frequency, SRF电容阻抗由容性转为感性的频率点
反谐振Anti-Resonance多个电容/平面组合在某些频点形成的阻抗尖峰
平面电容Plane Capacitance电源平面和地平面之间形成的分布电容
电源/地平面对Power/Ground Plane Pair紧邻的电源平面和地平面组合,用于降低 PDN 电感
层叠Stack-upPCB 各信号层、介质层、电源层和地层的排列结构
扇出FanoutBGA/密脚器件从焊盘逃逸到可布线区域的连接方式
球栅阵列封装Ball Grid Array, BGA以焊球阵列作为外部连接的封装形式
高密度互连High Density Interconnect, HDI使用微孔、细线宽线距、多阶孔等实现高密布线的 PCB 技术
过孔Via连接不同 PCB 层的垂直导通结构
微孔MicroviaHDI 中常见的小尺寸激光孔
盘中孔Via-in-Pad过孔直接放在焊盘内的工艺
过孔不足Via Starvation供电/回流过孔数量或位置不足导致路径阻抗过高
电流密度Current Density单位截面积承载的电流,关系到温升和可靠性
电迁移Electromigration金属中原子受电流推动迁移造成的长期可靠性问题
铁氧体磁珠Ferrite Bead常用于电源隔离和高频噪声抑制的无源器件
反馈节点Feedback Node, FB稳压器用于采样输出电压的反馈节点
补偿网络Compensation Network, COMP稳压器环路稳定性相关的补偿电路
串行器/解串器Serializer/Deserializer, SerDes高速串行通信接口的收发结构
双倍数据率存储器Double Data Rate, DDR常见高速存储接口类型
锁相环Phase-Locked Loop, PLL用于时钟产生、恢复和频率合成的电路
模数/数模转换器ADC/DAC模拟-数字转换器 / 数字-模拟转换器
参考时钟Reference Clock, Refclk为高速接口或时钟系统提供基准的时钟信号
纹波/噪声Ripple / Noise电源轨上周期性或随机性的电压扰动
抖动Jitter信号边沿在时间位置上的偏移
眼图Eye Diagram评估高速链路波形裕量的叠加图形
误码率Bit Error Rate, BER数据传输中错误 bit 占总 bit 的比例
时间间隔误差Time Interval Error, TIE实际边沿与理想边沿之间的时间误差
调试上电Bring-up样机首次上电、验证和问题定位过程
电源管理总线Power Management Bus, PMBus用于电源配置、遥测和控制的数字管理接口
热过孔Thermal Via用于把热量导到内层或背面的过孔
噪声裕量Noise Margin系统在不出错前可承受的噪声余量